Si1022R-T1-GE3
Üretici:
Vishay Yarım iletkenler
Açıklama:
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
Paketleme:
makara
Teknoloji:
Si
Ürün Kategorisi:
MOSFET
Ticari unvan:
HendekFET
Üreticisi:
Vishay Yarı İletkenler
Tanıtım
Vishay Semiconductors'dan SI1022R-T1-GE3, bir MOSFET'tir. Teklif ettiğimiz parçalar, orijinal ve yeni parçalarla küresel pazarda rekabetçi fiyatlara sahiptir.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
SIHG73N60E-GE3
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
SI2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
SQM40031EL_GE3
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: