FDC6301N
Üretici:
Birinci sınıf
Açıklama:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
Tedarikçi Cihaz Paketi:
SuperSOT™-6
Ürün Kategorisi:
MOSFET
Fabrika Stoku:
0
Asgari Miktar:
3000
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds:
9,5pF @ 10V
Paket / Çanta:
SOT-23-6 İnce, TSOT-23-6
Parça Durumu:
Aktif
Akım - Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C:
220mA
Paketleme:
Bant ve Makara (TR)
@ adet:
0
Çalışma sıcaklığı:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Tipi:
2 N-Kanal (Çift)
FET Özelliği:
Mantık Seviyesi Kapısı
Kaynak Voltajına Tahliye (Vdss):
25V
Montaj Tipi:
Yüzey Montajı
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:
0,7nC @ 4,5V
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs:
4 Ohm @ 400mA, 4,5V
Maksimum güç:
700mW
Vgs(th) (Maks) @ Kimlik:
1.5V @ 250µA
Seriler:
-
Üreticisi:
Yarı
Tanıtım
Onsemi'den FDC6301N,MOSFET'tir. Sunduğumuz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahip.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: