SUM90P10-19L-E3
Üretici:
Silikonix / Vishay
Açıklama:
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
transistör polaritesi:
P-Kanal
Ürün Kategorisi:
MOSFET
Tipik Açılma Gecikme Süresi:
20 sn
Pd-güç dağılımı:
375 W
Vgs-geçit kaynağı voltajı:
-20 V, + 20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:
-55 C
Paket:
makara
Ticari unvan:
HendekFET
Güz Zamanı:
870 ns
Üreticisi:
Silikonix / Vishay
Fabrika paketleme miktarı:
800
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:
145 ns
yapılandırma:
Bekar
Ürün Türü:
MOSFET
İleri iletkenlik-minimum:
80 S
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
+ 175 C
Yükselme zamanı:
510 ns
Kanal Sayısı:
1 kanal
Ticari marka:
Vishay Yarı İletkenler
Qg kapısı ücreti:
217 NC
ID-sürekli drenaj akımı:
90 bir
Transistör Tipi:
1 P-Kanal
Kurulum stili:
SMD/SMT
Paket / Kutu:
TO-263-3
Kanal Modu:
Artırma
Teknoloji:
Si
Vds-Drenaj kaynağı arıza voltajı:
100V
Seriler:
Toplam
Dirençte Rds On-Drain kaynağı:
19 mOhm
Vgs th-geçit kaynağı eşik voltajı:
1 volt
Tanıtım
Siliconix / Vishay'den SUM90P10-19L-E3, MOSFET'tir. Teklif ettiğimiz şey, küresel pazarda rekabetçi bir fiyata sahip, orijinal ve yeni parçalar.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
Related Products
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: