W632GG6MB-12
Üretici:
Winbond Elektronik
Açıklama:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
Teknoloji:
SDRAM - DDR3
Ürün Kategorisi:
Bellek IC'leri
Bellek Türü:
Uçucu
Fabrika Stoku:
0
Yazma Döngüsü Süresi - Kelime, Sayfa:
-
Tedarikçi Cihaz Paketi:
96-VFBGA (13x7,5)
Erişim süresi:
20ns
Bellek formatı:
DRAM
Parça Durumu:
Aktif
Hafıza boyutu:
2Gb (128M x 16)
Paketleme:
Tabak
@ adet:
0
Çalışma sıcaklığı:
0°C ~ 95°C (TC)
Asgari Miktar:
1
Bellek Arayüzü:
Paralel
Paket / Çanta:
96-VFBGA
Montaj Tipi:
Yüzey Montajı
Saat Frekansı:
800MHz
Voltaj - Güçlendirme:
1,425 V ~ 1,575 V
Seriler:
-
Üreticisi:
Winbond Elektronik
Tanıtım
W632GG6MB-12, Winbond Electronics'tan, hafıza IC'leridir. Sunduğumuz şey, dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahip, orijinal ve yeni parçalarla.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
Related Products
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNİG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLSNİG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: