K4B4G1646D-BCMA
Üretici:
Samsung yarı iletken
Açıklama:
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
yoğunluk:
4 cigabayt
Ürün Kategorisi:
Bellek IC'leri
Paketleme:
Tabak
Voltaj:
1.5V
Paket:
FBGA-96
Sıcaklık:
0 ~ 85 °C
Kuruluş:
256M x 16
RoHS:
Yeşil mevcut
Ürün Durumu:
Seri üretim
Hız:
1866 Mb/sn
Üreticisi:
samsung yarı iletken
Tanıtım
K4B4G1646D-BCMA,Samsung yarı iletkenlerinden,Hatıra IC'leridir. Sunduğumuz şey global pazarda rekabetçi bir fiyattır,Orijinal ve yeni parçalarla.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
KLUEG8U1EM-B0B1
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: