TC58NVG2S0HBAI4
Üretici:
Toshiba
Açıklama:
EEPROM 3,3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
Besleme Akımı - Maks:
30 milyon
Ürün Kategorisi:
EEPROM
Montaj Tarzı:
SMD/SMT
Asgari Çalışma Sıcaklığı:
- 40 C
organizasyon:
512 m x 8
Paket / Çanta:
TFBGA-63
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
+ 85 C
Hafıza boyutu:
4 Gbit
Paketleme:
Tabak
Seriler:
TC58NVG2S0
Çalışma Besleme Gerilimi:
3,3 V
Arayüz türü:
Paralel
Maksimum Saat Frekansı:
-
Üreticisi:
TOSHIBA
Tanıtım
Toshiba'nın TC58NVG2S0HBAI4, EEPROM'dur. Teklif ettiğimiz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahip.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTA00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: