IXGH48N60B3D1
Özellikler
Gate-Emitter Kaçak Akımı:
100nA
Ürün Kategorisi:
IGBT Transistörler
Montaj Tarzı:
Çukurdan
Pd - Güç Tüketimi:
300 W
Kollektör-Verici Gerilimi VCEO Max:
600 V
Paket / Çanta:
TO-247-3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
+ 150 C
Maksimum Kapı Verici Gerilimi:
+/- 20V
Paketleme:
Tüp
yapılandırma:
Bekar
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi:
1,8 volt
Üreticisi:
IXYS
Tanıtım
IXYS'den IXGH48N60B3D1, IGBT transistörleridir. Sunduğumuz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahiptir.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
RFQ gönder
stok:
Adedi: