MMBT5550LT1G
Üretici:
Birinci sınıf
Kategoriler:
yarı iletkenler
Özellikler
transistör polaritesi:
NPN
Ürün Kategorisi:
Bipolar Transistörler - BJT
Montaj Tarzı:
SMD/SMT
Maksimum DC Kollektör Akımı:
600mA
Kollektör-Verici Gerilimi VCEO Max:
140 volt
Paket / Çanta:
SOT-23-3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
+ 150 C
yapılandırma:
Bekar
Kollektör- Temel Voltaj VCBO:
180V
Seriler:
MMBT5550L
Yayıcı - Temel Voltaj VEBO:
6 volt
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi:
0,15V
Üreticisi:
Yarı
Tanıtım
Onsemi'den MMBT5550LT1G, Bipolar Transistors - BJT'dir. Sunduğumuz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahip.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
BC817-25LT1G
2SA1417S-TD-E
NJVMJD31CT4G
CPH3145-TL-E
NJW0281G
D45H8G
2SD1815S-TL-E
2SC5569-TD-E
2SA1708S-AN
MJD31CT4G
2SA2125-TD-E
MJD45H11T4G
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
BC817-25LT1G |
|
|
|
|
2SA1417S-TD-E |
|
|
|
|
NJVMJD31CT4G |
|
|
|
|
CPH3145-TL-E |
|
|
|
|
NJW0281G |
|
|
|
|
D45H8G |
|
|
|
|
2SD1815S-TL-E |
|
|
|
|
2SC5569-TD-E |
|
|
|
|
2SA1708S-AN |
|
|
|
|
MJD31CT4G |
|
|
|
|
2SA2125-TD-E |
|
|
|
|
MJD45H11T4G |
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: